角度限制散射投影电子束光刻的蒙特卡洛模拟

用蒙特卡洛方法模拟角度限制投影电子束光刻。模拟主要包括四部分：(1)模拟电子穿越由散射层和膜层组成的多层掩膜时的散射过程；(2)电子经过光学系统到达抗蚀剂，模拟这些电子在抗蚀剂和衬底中的散射过程，得到沉积电子的能量分布E(r,z)；(3)模拟经过显影过程后得到的抗蚀剂的轮廓；(4)模拟校正掩膜图形畸变和电子在抗蚀剂中的背散射引起的邻近效应所需要的校正剂量或对掩膜作的修正。.角度限制投影电子束光刻技术不受衍射的限制，分辨率高，能应用到特征尺寸为100nm以下的集成电路制造中，有望成为将来的主流光刻技术之一。这种技术的研究对半导体工业的进步有极为重要的意义，而用蒙特卡洛方法模拟光刻过程可以比实验节约大量时间和经费。