基于一维纳米ZnO的异质结的合成与光电特性研究

ZnO具有优异的光电性能，在光电子器件尤其是发光二极管方面有巨大的潜在应用价值。基于此，本项目拟合成ZnO一维纳米线或纳米带，在其表面沿径向生长不同半导体材料的一维纳米结构，或在其顶端沿轴向生长不同半导体材料的纳米管或纳米线，组成基于ZnO的一维结构纳米异质结；在Si纳米孔柱阵列上选择生长ZnO阵列，组成Si/ZnO异质结阵列；在氧化铝模板中，用电沉积法，或共用催化剂法，或电沉积与催化剂法结合，合成由ZnO与其他半导体材料组成的一维纳米结构异质结阵列，开拓一维纳米结构异质结及其阵列的合成技术。通过剥离氧化铝模板，构成异质结或发光二极管阵列器件。研究一维纳米结构异质结及其阵列的微观结构及其形成机理、输运特性；探索发光二极管及其列阵相关技术及其稳定性提高的技术，研究其性能和发光机理。为纳米二极管及发光二极管提供科学依据，奠定实验与物质基础。