基于熵增的确定性抛光中伪随机轨迹规划的新方法

本项目根据现代光学系统(短波光刻系统、高分辨率成像系统和高能激光系统等)对光学零件的制造全频段纳米级面形精度要求，研究确定性研抛加工中产生加工中高频误差的重要原因之一：抛光轨迹，系统的从理论上分析它与残留中高频误差因果关系、残留误差生成机理和分布规律，并结合图论理论，将光学零件所要控制的频率成分和分布规律转化为图论参数，进行磁流变加工中伪随机抛光路径规划，引进熵理论，建立抛光路径等工艺参数的熵评价模型，对生成的抛光路径对中高频误差控制能力进行理论评价，指导工艺参数的选择。最后结合磁流变抛光加工工艺，运用抛光轨迹模型，期望提出较优的工艺参数和工艺流程，达到对光学零件全频段纳米级面形精度的有效控制，为相关光学系统的研制提供理论和工艺基础，提高我国现代光学制造技术水平。