等离子体淀积氮化硅薄膜中氢原子簇研究

本课题利用质子核磁共振、多量子核磁共振、红外分析等方法对薄膜中的氢进行分析，研究结果表明氢以SiH和NH形式而存在，呈Gauss和Lorentz两种分布。前者（HG）对应氢原子的集聚状态，后者（HL）对应疏散状态。两种分布的缓冲区最小尺寸7A。淀积温度增加，膜中氢总量减少，HG减少HL增加，氢分布趋均匀；淀积功率增加使NH和SiH比值增加，氮硅比增加，HG增加很快，可见在大功率淀积条件下，SiH和NH都趋集聚状态；退火使NH键的红外伸缩键向高频方向移动，退火温度升至1000℃，剩留的氢仍系两种分布，两相线宽呈增加。薄膜的电阻率和击穿强度随NH/SiH和N/Si而增加，与硅的界面应力随NH和SiH的减少呈张应力。以上工作尚未见系统报导。