硅表面金属纳米团簇有序组装及电致迁移机制

基本信息
批准号:10874114
项目类别:面上项目
资助金额:36.00
负责人:孔向阳
学科分类:
依托单位:上海交通大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:金朝晖,戴璐,周乃勰,陈蓉蓉,周茹莉
关键词:
磁性转变结构模拟电致迁移纳米团簇结构演化
结项摘要

研究超高真空条件下,采用MBE方法在硅(111)重构表面,组装生长不同材料的纳米团簇结构。研究在外加脉冲瞬态电流作用下,硅表面组装形成的纳米结构发生电致迁移,形貌演化成有序纳米点阵列或取向排列纳米线的机制。同时,结合理论模拟,探讨不同材料在硅表面形成不同的纳米结构动力学机制,以及纳米结构与硅形成的界面结构对电输运特性的影响。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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