改善GaAsMESFET功率线性离子注入与退火技术研究
基本信息
批准号：68876215
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：邱素娟
学科分类：
依托单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
批准年份：1988
结题年份：1991
起止时间：1989-01-01 - 1991-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：马海涛,张海明,杨秋荣,张伟,范英杰
关键词：
离子注入杂质剪裁功率GAASMESFET
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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