分别选取铝、镓、铟、氮、磷、锂等作为掺杂元素,利用激光分子束外延法(L-MBE)制备单元素掺杂的p型氧化锡薄膜。研究薄膜的透过率、光学带隙、杂质能级结构及载流子浓度、迁移率等参数与工艺条件、掺杂元素种类、掺杂浓度的变化关系,确定实现替位式掺杂及激活掺杂原子的工艺条件。研究退火等后处理工艺对薄膜结构及电学性质的影响,确定最佳的工艺条件。通过分析掺杂原子的电子结构及化学性质,确定待选的共掺杂元素。利用
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究
基于分形L系统的水稻根系建模方法研究
氟化铵对CoMoS /ZrO_2催化4-甲基酚加氢脱氧性能的影响
低轨卫星通信信道分配策略
青藏高原狮泉河-拉果错-永珠-嘉黎蛇绿混杂岩带时空结构与构造演化
N-Ga共掺p型ZnO薄膜的制备及其性质研究
高质量氧化锡薄膜的制备及其发光性质的研究
钽掺杂氧化锡外延单晶薄膜的制备、结构及其光电性质的研究
柔性衬底上p型氧化铜、氧化锡基透明导电薄膜的制备及机理研究