尖锥状金刚石场发射阵列(DFEA)冷阴极研究
基本信息
批准号：69671011
项目类别：面上项目
资助金额：11.70
负责人：徐静芳
学科分类：
依托单位：华东师范大学
批准年份：1996
结题年份：2000
起止时间：1997-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘新福,黄贡,王学军,陈春晖,江炳尧
关键词：
金刚石薄膜场发射铸模技术
结项摘要
用硅铸模法和MPCVD技术研制成了有控制栅极的锥状多晶金刚石场发射阵列冷阴极样品，其锥顶曲率半径为2.0nm，阈场为1V/μm，发射电流密度达0.3A/cm(2)。为国际上最好水平范围。研究了金刚石膜内SP（2）/SP（3）键含量、热电处理对样品电子发射性能影响。用磁过滤真空弧淀积法制成了非晶金刚石薄膜平面场发射冷阴极样品，研究了淀积、退火条件、氢等离子体处理、热电处理、界面金属过渡层对样品电子发射性能的影响。具有Ti界面和孔阵列图形样品阈场仅为2.1V/μm，场强为14.5V/μm时，发射点密度为3.0-3.5×10（3）/cm（2），是目前国际上类金刚石膜最新结果。用金刚石超细粉末电镀、电泳、热喷涂法研制成了平面场发射样品。设计和试研了平板显示器原型。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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