高性能、稳定、易加工的n-型有机半导体材料的合成及性能研究

基本信息
批准号:51173200
项目类别:面上项目
资助金额:60.00
负责人:高希珂
学科分类:
依托单位:中国科学院上海有机化学研究所
批准年份:2011
结题年份:2015
起止时间:2012-01-01 - 2015-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:胡云宾,赵征,张峰,韩文杰,熊玉,秦云科
关键词:
合成自组装有机薄膜晶体管n型有机半导体材料
结项摘要

近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)因其在柔性电子领域广阔的应用前景,成为有机电子学中的研究热点。本项目针对OTFT发展的瓶颈问题- - 缺乏高性能、稳定、易加工的n-型有机半导体材料及相关理论认识,在申请人前期工作的基础上,以2-(1,3-二硫-2-亚基)丙二氰稠合的萘二酰亚胺(NDI-DTYM2)的共轭骨架为基本结构单元,运用自组装、醇溶性、原子转移自由基聚合、原位光照交联聚合、亲水-疏水作用等思想和方法,设计、合成新的可溶液加工的n-型有机小分子和聚合物半导体材料,用甩膜、打印、LB膜技术等方法制备其OTFT器件,研究材料的分子及聚集态结构与器件性能之间的关系,探索影响n-型有机半导体材料OTFT器件性能/稳定性的关键因素,为n-型有机半导体材料的研发提供研究思路,筛选出高电子迁移率、稳定、易加工的n-型有机半导体材料与器件,为OTFT及有机互补电路的应用奠定研究基础。

项目摘要

近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)因其在柔性电子领域广阔的应用前景,成为有机电子学中的研究热点。本项目针对OTFT发展的瓶颈问题“缺乏高性能、稳定、易加工的n-型有机半导体材料及相关理论认识”开展研究工作,取得了一系列创新性的研究成果:发展了高性能n-型有机半导体材料NDI-DTYM2及其关键中间体的简捷、高效合成方法;揭示了N-取代基结构调控NDI-DTYM2器件性能的规律,并获得了电子迁移率高达3.5 cm2 V-1 s-1的NDI-DTYM2分子材料,为n-型有机半导体材料的发展提供了新思路;制备了n-型分子材料NDI-DTYM2的有机超薄膜,该超薄膜OTFT器件显示出高的电子迁移率和对氨气良好传感效果,拓展了n-型分子材料的多功能应用;发展了新型大π电子受体分子骨架NDI-DTYA2,并成功合成了基于NDI-DTYA2的高性能n-型聚合物半导体材料,其OTFT器件电子迁移率可达0.38 cm2 V-1 s-1,展示了NDI-DTYA2在构筑新型有机半导体材料中的潜力;设计合成与已有高性能n-型有机半导体材料NDI-DTYM2和P(1,4,5,8-NDI-T2)的共轭骨架“结构异构”的新型分子材料TCDBTTF-DI和P(1,2,5,6-NDI-T2),研究表明:分子骨架结构异构的分子材料具有不同的HOMO/LUMO轨道能级及光学带隙,表现出不同的载流子传输行为,为新型有机半导体材料的设计提供了思路。本项目在系统研究的基础上总结提出了“通过在缺电子的NDI芳核上稠合富电子的硫杂环,并结合拉电子基团封端、长分支N-烷基促溶的分子设计策略,发展高性能、稳定、易加工的n-型有机半导体材料的思想”(J. Mater. Chem. C, 2014, 2, 3099.),获得了系列高性能、稳定、易加工的n-型有机半导体材料,发表论文15篇(其中J. Am. Chem. Soc. 1篇,Adv. Mater. 2篇),单篇最高他引110次,形成了特色的n-型材料分子体系,引起国内外同行的关注。本项目的研究结果为发展高性能、稳定、易加工的n-型有机半导体材料奠定了研究基础,提供了研究思路。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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