SOI/GeSi/BiCMOS集成电路的研究
基本信息
批准号：69836020
项目类别：重点项目
资助金额：115.00
负责人：钱佩信
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：1998
结题年份：2002
起止时间：1999-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈培毅,罗广礼,郭维廉,李树荣,郑云光,贾宏勇,毛陆虹,林小峰,朱培喻
关键词：
SOI技术GeSiHBTBiCMOS
结项摘要
SOI/GeSi/BiCMOS电路集三种先进IC技术于一体，结构新颖，较全面地反映了当前VLSI发展魇啤１鞠钅吭谇寤吞旖虼笱г碐eSi薄膜生长eSiHBT、SOIGeSiFET、低温BiCMOS研究∩希捎米?向GeSi-HBT与SOI-CMOS相结合或GeSiPMOS与GeSi混合模式双极管相结合的峁剐问剑杓撇⒀兄瞥龈咝阅艿腟OI/GeSi/CMOS电路。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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