嵌于硅基体中的Ge-Si纳米团的离子束辅助固相外延生长及其性能的探索性研究

硅中引入纳米结构，有利于实现载流子的局域化，减弱载流子传输过程中的散射，甚至改变硅材料的能带结构，降低非辐射复合几率，从而突破硅的间接能带结构的限制。本项目将首次通过离子束辅助固相外延生长的方法来制作嵌在硅基体中的Ge-Si纳米团，探索工艺的可控性，并进一步了解所形成的Ge－Si纳米团的结构特征以及其光致发光特征、应变特征等性能。项目的成功实施将有利于寻找到突破硅材料限制的途径，使硅在高迁移率器件和光电器件方面得到应用，有利于实现硅基微电子学和光电子方面的跨越。