Ga掺杂透明导电ZnO薄膜的制备及其近红外反射特性研究

对ZnO薄膜中的等离子体频率进行设计，通过Ga掺杂并结合H等离子处理和原位退火，生长ZnMgO/ZnO/ZnMgO异质结构提高ZnO薄膜中电子浓度实现设计需要的等离子体频率和红外响应。利用磁控溅射技术制备掺镓氧化锌透明导电薄膜和异质结构，通过调节掺杂量和制备工艺控制其导电特性，研究其电子浓度、迁移率与红外反射和吸收之间的关联机制，探明掺镓氧化锌薄膜微结构与薄膜着色、电导以及载流子散射机制之间的复杂关系。本项目通过研究制约电子浓度提高的各种因素，分析薄膜结构调控对近红外反射特性的作用机理，从根本上解决高掺杂浓度时电子浓度受到限制这一问题，从而改善ZnO薄膜的红外性能，为在节能型红外反射玻璃上得到应用奠定基础。