离子刻蚀用大面积矩形射频离子束源及刻蚀工艺的关键技术研究
基本信息
批准号：10376010
项目类别：联合基金项目
资助金额：37.00
负责人：陈庆川
学科分类：
依托单位：核工业西南物理研究院
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：耿漫,李自成,王经权,刘晓波,李青
关键词：
光栅离子源射频感应耦合（RFICP）离子束刻蚀
结项摘要
本研究项目拟对大型离子刻蚀机用矩形大面积、高均匀性射频离子源及有关离子刻蚀工艺的关键技术问题进行研究，对射频感应耦合（RF ICP）离子源的结构、离子流的引出、离子流的均匀性及中性化、射频匹配网络等进行研究，对射频感应耦合等离子体腔的结构和射频耦合方式进行优化设计，以期获得最佳的阻抗匹配并在等离子体放电室内获得大面积均匀等离子体；对离子源引出和加速系统进行数值模拟，建立离子光学系统数值模拟的物理模
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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