Protection of materials without mass burden and the stability of electronic devices working under harsh environment, such as high temperature, strong electric field and corrosion, are big challenges to be resolved. Two-dimensional hexagonal boron nitride (2D h-BN) shows outstanding thermal stability, corrosion resistance, electric insulation, mechanical and thermal properties, thus can realize protective coating with only one atomic thickness.Besides, its nanosturctures and hetero-structure with other two dimensional materials hold various electric properties, making it a promising candidate for resolving these problems. Based on our ability on growing large area 2D h-BN and multi-scale theoretical study, this project will focus on: i) developing the technology of controllable growing 2D h-BN of high quality; ii) exploring its various protection performances against thermal, chemical, electrical, and other harsh environment; iii) studying the properties of information functioned devices based on h-BN nanoribbon and the h-BN/graphene hetero-structure; iv) revealing the influence of the defect states of grain boundaries and edges on the properties mentioned above. This project is aimed to provide technical basis for developing effective protective method against harsh environment and information functioned electronic devices based on h-BN, as well as reveal original scientific findings of high importance.
高温、强电场、介质腐蚀等复杂环境下材料的轻质防护以及电子器件的稳定性是亟待解决的问题。二维六方氮化硼材料具备优良的热稳定性、抗腐蚀性、绝缘性以及出色的力学、热学等性质,可将材料的防护涂层推进到单原子厚的极限。此外,其纳米结构以及与石墨烯等其他二维材料的异质结构还具有丰富的电学性质,是应对上述问题的理想材料。本项目在我们掌握的大面积制备二维六方氮化硼技术和多尺度理论研究方法的基础上,发展高质量二维六方氮化硼的可控制备技术,深入开展复杂环境下氮化硼的热、化学、电等多功能防护性能研究,以及基于氮化硼纳米带和氮化硼/石墨烯异质结构的信息功能器件性能研究,并结合大规模计算模拟,揭示氮化硼晶界、边缘等缺陷态对上述性能的影响。旨在为发展新型、轻便、可靠的耐极端环境的防护方法和构建氮化硼基信息功能电子器件提供坚实的技术基础,做出在国际上有重要影响的原创性研究成果。
本项目在大面积制备二维六方氮化硼技术和多尺度理论研究方法的基础上,深入研究了二维六方氮化硼在不同基底上可控制备,如在铜基底上的单向生长,在锗表面的外延生长,晶粒尺寸和形貌的可控合成,以及氧气对氮化硼生长的抑制作用,发展了快速制备带有预设图案的石墨烯-六方氮化硼面内异质结的方法。另外,还研究了不同基底上二维六方氮化硼的表面呈现的不同功能,如表面磁性、抗氧化和抗摩擦性,还有与基底材料无关的独特润湿性能。.在本项目的资助下,发表相关SCI论文38篇,获授权中国发明专利4项。
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数据更新时间:2023-05-31
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