分子束外延嵌入生长GaAs/Si光电子器件材料的研究

基本信息
批准号:69086403
项目类别:专项基金项目
资助金额:5.00
负责人:梁基本
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1990
结题年份:1993
起止时间:1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:谢茂海,廖奇为,段维新,朱占平,朱士荣,黄运衡
关键词:
嵌入生长分子束外延GaAs/Si光电子器件
结项摘要

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

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数据更新时间:2023-05-31

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