碳化硅与金属肖特基亚稳接触的物理化学研究

SiC肖特基二极管在制作高温、大功率电子器件等方面具有的明显优势和重要应用前景，但目前对SiC/金属肖特基接触的亚稳特性认识尚不清楚，限制了SiC肖特基二极管性能的进一步提高。本课题从SiC/金属界面的物理化学问题入手，采用可靠的相平衡实验测量和相图计算相结合的方法，建立Si－C－M (M= Au, Ag, Pt, Al, Ti, Ni) 体系固态下相关系，并外推至亚稳区，掌握界面层亚稳平衡物相分布规律；制备n型6H-SiC/金属肖特基接触，测定不同退火温度下界面层厚度与退火时间的关系，建立SiC/金属肖特基接触形成动力学模型，获得界面反应的重要动力学参数；将SiC/金属界面的亚稳平衡热力学、界面反应动力学与界面微结构分析三者有机结合，研究影响SiC肖特基势垒高度的物理和化学机制，获得提高二极管击穿电压的最佳结构参数，为提高大功率SiC肖特基二极管器件的工作可靠性提供重要研究基础。