硅基单片光电子集成回路(OEIC)的关键技术及相关理论研究

基本信息
批准号:60536030
项目类别:重点项目
资助金额:180.00
负责人:陈弘达
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2005
结题年份:2009
起止时间:2006-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:毛陆虹,牛萍娟,贾九春,苗长云,张世林,陈雄斌,唐君,齐海涛,李鸿强
关键词:
硅基单片光电子集成回路光波导调制器/光探测器硅基发光器件
结项摘要

研究硅基单片光电子集成回路(OEIC)基础科学问题,研究与标准微电子工艺兼容的硅基光电子器件及相关理论,重点研究硅发光器件中的热载流子理论以及发光机理;研究与标准微电子工艺兼容的硅基光波导各层折射率、吸收系数与光波导传输损耗的关系;研究硅基发光器件、光波导、硅基光接收器、驱动电路、接收电路的单片光电子集成回路及相关理论。研究硅基光波导调制器及相应的基础理论,研究硅中等离子体色散效应及其对硅材料折射率的影响,研究光调制器结构对光场模式分布和传输损耗的影响;研究硅基光波导调制器与锗硅光探测器构成的单片光电子集成回路及相关理论。.本项目研究的硅基单片OEIC克服了化合物发光器件与硅基大规模集成电路不兼容的缺点,可用于系统芯片中的时钟信号传输,解决信号的相互干扰和时钟歪斜问题。研究硅基发光器件的发光机理、硅基光波导调制器和硅基单片OEIC的关键技术及相关理论具有深刻的基础研究内涵和重大学术意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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