碳化硅缓冲层上生长氮花稼的电子显微学研究
基本信息
批准号：50072044
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：段晓峰
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：万里,李宏伟,王乙潜,史晶宇,王凤莲
关键词：
分析电子显微学氮化镓碳化硅
结项摘要
CaN有重要的应用前景，以SiC作为缓冲层是Si上生长GaN的新方法.要得到高质量的GaN，需許i/SiC/GaN界面及缺陷结构进行系统的分析研究。场发射电子枪透射电镜具有亮度高，咝〉挠诺悖啥匝分械慕缑妗⑷毕莸任⑿∏蚪械缱幽芰克鹗住⒏叻直娴缱酉晕⑹酢⒒峋凼缱友苌浞治觯剿魅毕莶跋嗷プ饔玫幕恚欢嫌呕ぬ跫
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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