SiC纳米管的制备和性能表征
基本信息
批准号：50672133
项目类别：面上项目
资助金额：29.00
负责人：杨文
学科分类：
依托单位：中国原子能科学研究院
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄晨,佟振峰,宿彦京,潘德安,黄海有,李利巍
关键词：
SiC纳米管NaCl型SiC化学气相浸渍
结项摘要
纳米线/管作为纳米材料的重要结构形式成为材料界研究热点。人们利用各种方法制备出了金属、非金属和有机材料等的纳米线/管，并不断发现材料在纳米尺度上一些新奇特异的性质，以及在众多领域新的甚至革命性的应用前景。在SiC纳米材料研究领域，SiC纳米线已经被用不同的方法合成，并在最近被成功用作陶瓷基复合材料的高效率强化元素。但是，关于SiC纳米管的研究报导则几乎没有。最近，申请人利用化学气相浸渍(CVI)技术在国际上首次成功制备出了二维直列SiC纳米管阵列。结构分析表明这些纳米管（外经～100纳米，壁厚～10纳米）由NaCl型SiC和非晶SiO构成。NaCl型SiC的晶格常数(0.408 nm)较常规β-SiC晶格常数(0.435 nm)小～10%，因此，它可能具有更高的硬度和耐磨性，及一些奇特的物理、电子学和化学性质。本申请课题将在已有的初步研究工作基础上，进一步制取更纯、晶化程度更高的SiC
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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