SiC及其复合纳米线定向阵列真空蒸气弧等离子技术的合成机理和性能研究

以硅衬底上高度定向的纳米碳管阵列和纳米多孔氧化铝模板为基础，通过利用磁过滤等离子技术引入高活性的反应离子，在400－1100℃的温度下研究大面积碳化硅/碳纳米管复合纳米线阵列和碳化硅纳米线阵列的定向生长的工艺，实现碳化硅纳米线的定域合成；利用TEM、SEM、AFM等现代测试技术，分析基片表面附近的磁过滤等离子体气相中活性粒子的能量、离子浓度、产生等离子体的外部物理参数等工艺条件对碳化硅及其复合纳米线阵列的形貌、结构、相互间结合状态的影响；探讨碳化硅及其复合纳米线阵列的场发射性能与相关工艺技术和结构的关系。研究与物理效应相关的纳米结构稳定性与生长动力学。通过研究，开发出一种具有自主知识产权的制备定向生长碳化硅纳米线阵列的新技术。本研究对高性能场发射平板显示器的开发和研究也具有重要的意义。