正电子湮没二维多谱勒系统与金属间化合物晶体缺陷研究

基本信息
批准号:10275076
项目类别:面上项目
资助金额:31.00
负责人:王宝义
学科分类:
依托单位:中国科学院高能物理研究所
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王雨田,章志明,杨巨华,张天保,曹兴忠,吴如军,焦春美
关键词:
金属间化合物二维多谱勒空位缺陷
结项摘要

本项目拟在慢正电子束流系统上建立二维多谱勒展宽符合测量方法,以此为主要研究手段,采用离子束和磁控复合溅射制备TiAl多层膜,系统研究TiAl多层膜界面处缺陷的构型、缺陷的迁移运动机制以及缺陷周围原子的化学状态,研究TiAl多层膜退火过程中缺陷的回复行为,揭示空位迁移的微观机制,为金属间化合物的计算机人工设计提供实验依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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