新型半导体材料的光谱特性研究
基本信息
批准号：19574004
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：陈辰嘉
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：1995
结题年份：1998
起止时间：1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘继州,史守旭,陈唏,李晓位
关键词：
半导体超晶格微结构稀磁半导体近场光学
结项摘要
对稀磁半导体ZnSe/Zn1-xMnxSe，ZnTe/Zn1-xMnxTe，CdTe/Cd1-xMnxTe超晶格的光学特性进行深入研究；利用ZnMnSe能隙的弓形行为，首次用光致发光谱观测到由温度引起ZnSe/Zn1-xMnxSe超晶格中ZnSe和Zn1-xMnxSe阱垒间的转换；ZnTe/Zn1-xMnxTe拉曼散射结果表明应力引起光学声子的频移，观测到近共振多声子过程（高达6级）和阱垒间光学声子的组合模，首次在ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格中观测到双声子过程宏观界面膜的存在，实验与理论相一致，用应力效应成功解释了随X值增大轻空穴11L能级从高于重空穴11H到低于重空穴11H的变化；首次用光调制及射谱技术观测到国内MBE生长的Cd3-xMnxTe/Cd1-yMNyTe超晶格子能级11H，11L，22H直到33H子能级结构，考虑应力效应后实验与理论符合很好。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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