本项目采用量子统计方法计算了超薄膜/多层膜由于垂直表面方向上的平移对称性破缺而引起的相变特征,并把这种方法从磁性超薄膜扩展到了液晶超薄膜方面的研究,在国际上首次用偶极-偶极相互作用和偶极四极相互作用推导得到了具有六角对称性的Hamiltonian,并用此Hamiltonian建立了自由液晶薄膜的HexB-SmA-Isotropic相变的纺一理论模型,这和国际上的最新实验研究结果符合得很好。我们还进行了Si<111>面及Si<100>面表面重构的研究,并成功地在Si表面上生长出结构完好的Ag和Fe薄膜。同时,我们对液晶掺杂微量杂质后的光学非线性现象,磁光特性等的研究表明,只需在液晶中掺杂少量的双偶氮苯(1%),就可以大在降低产生液晶形变所需的磁场阈值,目前国内外上无此类报道。
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数据更新时间:2023-05-31
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