光电关联法研究单根In2O3(ZnO)m三元超晶格纳米线的电子输运和气敏机理

意义：超晶格三元In2O3(ZnO)m是一种透明的氧化物宽带半导体材料，其薄膜场效应晶体管表现出非常好的器件性能。基于单根超晶格In2O3(ZnO)m纳米线(IZONW)的气体传感器件，不仅可以提高传感器的灵敏度，满足传感器件微型化、高集成化的要求，而且为研究与气敏性相关的一维电子输运问题提供了可贵的物质基础。研究其电学性质，揭示其气敏机理，获得灵敏度高、选择性好的单根纳米线气体传感器具有重要的科学意义和实用前景。..内容：拟制备基于单根超晶格IZONW的气敏元件，利用光电关联的方法，研究其电学性质和氢气敏感性质，揭示一维超晶格结构中的电子输运和气敏机理，为提高气体传感器的灵敏度、实现气敏器件的纳米化提供理论依据和实验基础。

利用化学气相沉积方法，首次合成了In2O3(ZnO)7 超晶格结构纳米带、ZnO/ZnS超晶格、ZnO/ZnS异质结纳米晶阵列、ZnO分级六角塔状结构；利用完善了的微栅模板法，制备了单根纳米线光敏器件和场效应管，研究了电子在一维纳米线中的传输特性；进行了单根纳米线的紫外传感性质、光敏性质测量；研究了样品的场发射性质、气敏性质和表面等离子体增强特性及其机制。单根纳米线（带）器件的制备，不仅可以提高传感器的灵敏度，而且有望真正实现器件的纳米化，解决国民经济和社会发展中迫切要求的传感器件微型化、高集成化的关键科技问题。.超额完成预期指标：发表标注论文13 篇，其中SCI 收录12篇，EI收录1篇；还有2 篇在审稿中；培养已毕业硕士研究生8 人，在读硕士研究生10 人。