片上多核处理器硅后验证关键技术研究

以片上多核处理器为代表的现代大规模复杂设计都面临着因各种问题导致的芯片多次流片问题，对处理器硅后验证提出了巨大的挑战。当前大规模集成电路硅后验证问题在国内外都是一个令人困扰的难题。本项目就片上多核处理器硅后验证中的科学问题及其技术方法开展深入研究，通过硅后验证可调试性设计技术、支持CMP的硅后错误重放技术、支持CMP的硅后测试向量生成技术、支持CMP的正确性检测技术、支持CMP的测试向量精简技术、硅后随机验证技术、硅后覆盖率度量技术、硅后验证提高芯片耐受性技术、以及验证状态空间裁剪技术等一系列关键技术和方法的研究，解决目前片上多核处理器硅后验证中存在的困难及面临的科学问题，并将研究成果融入和实现在验证工具平台上，所实现的工具和平台将在验证科学领域达到国际先进水平，在实践上可以满足国内低成本设计验证环境下片上多核处理器硅后验证的需求，并直接应用于国产片上多核处理器硅后验证的实践。

片上多核处理器设计规模大，结构复杂，仅依靠硅前验证无法一次性解决所有的设计问题，芯片的多次流片难以避免，硅后验证成为必不可少的验证手段。当前，片上多核处理器硅后验证问题在工业界和学术界都是令人困扰的难题。本项目围绕片上多核处理器硅后验证中的科学问题及其技术方法进行了深入研究，在可调试性设计与确定性重放、支持CMP的硅后测试向量生成及正确性检测、基于FPGA的片上多核处理器全芯片模拟、硅后随机验证、硅后覆盖率度量、硅后断言检测等多项关键技术领域取得了重要突破和进展，按时完成了原定研究计划，圆满完成预期的研究目标。项目研究成果已在国产龙芯3号片上多核处理器验证实践中得到广泛应用。