基于碳纳米管阵列敏感结构的压阻特性研究

基本信息
批准号:50875139
项目类别:面上项目
资助金额:33.00
负责人:杨兴
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张丽娜,张旻,王鼎渠,肖名飞
关键词:
碳纳米管阵列压阻特性纳传感器微/纳机电系统
结项摘要

针对目前单根碳纳米管压阻传感器件制造难度大、信号微弱等问题,本项目提出一种基于碳纳米管阵列的压阻敏感结构。由于阵列中的纳米管具有良好的取向并可通过筛选保留压阻因子较高的半导体型纳米管,因此所提出的碳纳米管阵列式敏感结构具有高压阻敏感性和制造工艺简单的优点。. 本项目将微传感结构和纳米材料有机地结合起来,研究基于碳纳米管阵列敏感结构的压阻特性的技术基础和相关理论,包括由碳纳米管阵列和微电极组成的微纳敏感结构的压阻特性模型及结构设计、微纳敏感结构的制造工艺、微纳敏感结构的表征、压阻特性测试方法及实验研究等,为碳纳米管阵列式压阻传感器的应用研究提供一定的理论和技术基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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