原子级抛光中的抛光液设计及摩擦化学机理

针对下一代计算机硬盘基片、集成电路硅片表面原子级粗糙度和无损伤的加工要求，以及现有化学机械抛光（CMP）技术存在的问题，提出研制新型核/壳型纳米复合粒子研磨剂，并研究其在CMP过程中的抛光特性和摩擦化学机理。通过综合考虑抛光液特性、抛光垫特性、抛光工艺参数以及被抛光材料特性等的相互作用和关系，并以摩擦化学机理为基础，建立分别适合硬盘基片、集成电路硅片表面原子级、无损伤抛光的抛光液设计的数学模型。为下一代计算机硬盘基片、集成电路硅片的制造提供技术与理论支持。