高热电优值硅纳米线研究

基本信息
批准号:60876081
项目类别:面上项目
资助金额:32.00
负责人:冯飞
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:戈肖鸿,俞正寅,闫许,李珂,杨恒昭
关键词:
热电优值MEMS硅纳米线
结项摘要

利用热电效应能实现热能和电能之间的相互转换,热电材料如能广泛地应用于热电发电和热电制冷,对缓解当前能源危机、保护环境等方面无疑具有重大意义。热电材料未获大规模应用的主要原因在于材料的热电优值(Thermoelectric figure of merit)不高,探寻具有高热电优值、成本较低且易于制备的材料成为研究者关注的焦点。硅是最常用的半导体材料,但其热电优值较低。本项目主要围绕硅纳米线的热电性能展开研究,主要内容包括:硅纳米线热电优值理论研究;基于MEMS的硅纳米线制备技术研究;实验研究硅纳米线几何尺寸、掺杂浓度对其热电优值的作用机理。以期在上述理论与实验研究的基础上,制备出高热电优值的硅纳米线,为这种新型的、价格低廉且易于制备的热电材料早日进入实用阶段奠定坚实的基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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