GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
基本信息
批准号：60136020
项目类别：重点项目
资助金额：165.00
负责人：郑有斗
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2001
结题年份：2005
起止时间：2002-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：沈波,江若琏,王晓亮,陆大成,孙殿照,刘祥林,曾庆明,曹春海,陈堂胜
关键词：
族氮化物异质结构微电子器件
结项摘要
以发展族氮化物微电子器件为目标，围绕族氮化物及其异质结构的晶格驰豫，压电极化，载流子输运，金属/ 族氮化物界面物理与技术等与电子器件有关的科学与技术问猓剿? 族氮化物材料的新结构，新现明，新规律和关键器件技术，为发展高频，高温吖β实锘缱悠骷於蒲в爰际趸２⒀兄瞥? 族氮化物基电子器件原型。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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