宽势阱半导体光电器件

宽势阱半导体光电器件是特殊结构的新型热离子光电探测器。与普通少子器件如pin光电两极管，雪崩两极管及光电三极管不同，它是多子器件。又区别于其它多子器件：1）存在中央P（+）n-结区域其功能类似空穴存储库。2）在Pn两极管周围有一个特殊形状的n（+++）pn（-）框架结构。选取了硅N（-）衬底材料，扩散P（+）隔离槽。中央大面积受光Pn结捕 集整个中央区产生的光生空穴堆，可降低势垒。n（++）P（+）n（-）是多子传输区。P（+）区的掺杂量调整到使该区空穴完全耗尽。其厚度调整到符合热离子发射要满足的边界条件。中央区产生的空穴堆漂移到多层结构的P（+）区所造成的势垒降低，调制着n（++）区的热电子发射幅度，电子越过势垒是基於热离子发射，普通硅光电两极管的绝对灵敏度是0.35A/W，新器件是2.9A/W，加1.5伏偏压时为119A/W。已在色敏传感器中取得较好的应用。