原子操纵的基础研究

本项目在硅表面上进行了原子操纵以及原子级有序结构自组织生长的基础性研究。系统研究了硅表面周期性缺陷的构造动力学；首次发展一阶积木块方法，计算得到DAS重构系列表面能的正确排序。首次提出格位结合能概念，得到与实验相符的原子解离能计算结果；建立键响应驰豫模型，成功描述了单原子提取过程中被提取原子与补底之间的微观响应特性；理论计算预言，吸附原子在解离过程中存在电子双态起伏现象。采用两步固相外延方法在硅100表面上首次自组织形成崭新的有序C-4×8重构，紧束缚分子动力学模拟第一次表明，高度非平衡的热力学过程导致了这种具有较高能量的亚稳态有序结构的形成。分别在硅表面和LB膜上获得铝和金的有序金属原子级结构。