面向MEMS低温后道封装的膜材料选择性电磁感应局部加热及互连原理

MEMS(Microelectromechanical System)技术开发已经认为是与IC制造技术相媲美的工业革命。然而，低成本、高可靠、通用性强的微封装互连技术的缺乏是MEMS器件广泛推广应用的重要瓶颈，主要体现在缺乏通用的后道芯片气密封装和针对敏感材料的低温封装互连技术的缺乏。本项目拟采用材料电磁感应发热原理，实现只有特定的MEMS芯片密封膜材料以及特定几何结构膜材料选择性地感应发热到特定温度，并使低熔点中间膜材料熔化润湿成形，实现气密封装互连。此方法对芯片制造的前道工艺依赖性小、通用性强，而且由于对MEMS芯片特定结构膜材料局部选择性加热，所以可实现整体芯片的低温封装互连。具体研究：不同膜材料在高频电磁场中感应发热规律及物理机制；膜材料几何结构对其电磁感应发热的影响及原理；膜材料选择性电磁感应局部加热焊接工艺。研究结果将阐明MEMS后道封装新方法原理促进MEMS器件的推广应用。