电针预处理通过EAAT2调节NDRG2诱导脑缺血耐受的研究

如何减轻脑缺血损伤是一个亟待解决的世界性难题。我们率先发现电针刺激百会穴可显著减轻脑缺血损伤，诱导脑缺血耐受，但其机制仍不清楚。我们首次发现脑缺血损伤后，星形胶质细胞NDRG2表达上调，并从胞浆向胞核转位，电针预处理可部分逆转这一现象，表明NDRG2参与脑缺血损伤和电针预处理机制。兴奋性氨基酸转运体2(EAAT2)主要表达于脑内胶质细胞，研究已证实预处理能上调EAAT2表达，减轻脑缺血损伤。我们初步的研究显示，脑缺血后干预EAAT2可调控NDRG2的表达与核转位。因此，我们推测：电针预处理可能通过EAAT2调控NDRG2发挥脑保护作用。为证实此假设，本项目将以NDRG2为切入点，选择大鼠MCAO及氧糖剥夺模型，应用电针刺激结合多重免疫荧光染色、RNAi、基因转染等技术，研究EAAT2对NDRG2的调控作用和NDRG2核转位后对核转录因子等的影响，为电针预处理提供新的学术观点及理论依据。

中风是世界第二大致死性第一大致残性疾病。因此需要开发有效地治疗手段来预防中风发生，同时减少缺血再灌注造成的损伤。电针是一种传统医学与现代电疗结合的新的治疗手段。由于针刺对于很多心脑疾患都有很好的疗效，电针疗法是对传统针刺的一大提升。我们近年的研究显示，电针能够发挥预处理效应，诱导脑缺血耐受。随后的机制研究显示，电针的预处理效应涉及到许多信号通路，如提高抗氧化物活性、调节内源性大麻素系统以及抑制凋亡。脑内星形胶质细胞在缺血后第一个受到损伤，并启动级联反应，影响神经元的转归。NDRG2表达于星形胶质细胞，并可能参与星形胶质细胞的功能调节，我们前期研究也证实NDRG2在脑缺血损伤后表达上调。但其在电针预处理诱导的脑缺血耐受中的作用以及上下游调节机制尚不清楚。本研究旨在探讨NDRG2在电针预处理中的作用，并研究其上下游调节机制。本项目研究发现：1.电针预处理通过逆转NDRG2表达上调减少凋亡，从而诱导脑缺血耐受；2.电针预处理可通过上调星形胶质细胞中EAAT2的表达来调节NDRG2，从而减轻脑缺血损伤。3.2-AG通过减少NDRG2表达从而抑制STAT3磷酸化产生神经保护效应。综上所述，本研究结果提示了电针预处理脑保护效应的可能机制，即电针预处理通过抑制缺血后EAAT2的下调逆转NDRG2的上调，抑制STAT3 Tyr705位点的活化，从而诱导脑缺血耐受。 揭示了EAAT2-NDRG2-STAT3信号轴在电针诱导的脑缺血耐受中的作用，为中风治疗提供一定的靶向理论基础。本项目计划研究内容基本完成，部分研究结果已被SCI收录期刊发表或接收（共3篇，青年基金标注） 。