氧化物半导体多层薄膜气敏材料和传感器研究

基本信息
批准号:28970029
项目类别:面上项目
资助金额:4.00
负责人:沈瑜生
学科分类:
依托单位:中国科学技术大学
批准年份:1989
结题年份:1992
起止时间:1990-01-01 - 1992-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:沈菏生,张天舒,李丹,娄向东,芦昭伟
关键词:
薄膜气敏材料等离子体化学气相淀积。
结项摘要

本项目通过多个新的含氟砌块的制得,成功地找到了合成各种三氟甲基取代化合物和含氟取代的碳环和杂环化合物的新方法。本工作的特色在于利用现成易得的含氟原料,制成各种含氟砌块。在金属介入条件下将氟引入到有机分子当中,这将有别于现行普遍采用的直接氟化法等的直接引入氟原子的方法,由于主要利用合成砌块概念,这些新方法不仅具有原料易得,不需要特殊的反应条件和试剂的优点,而且还具有广泛的适用性。本工作含氟酮酸,氨基酸和天然产物的含氟类似物,为今后应用于医药,农药,材料等方面开辟了新的园地,使得有目的地设计含氟生理活性物质的前景越来越广阔。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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