薄膜/基体微电子元件和封装中基本力学行为研究

基本信息
批准号:19472037
项目类别:面上项目
资助金额:7.00
负责人:刘宝琛
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:蔺书田,李昀泽,史训清,兰钧,龚欣云
关键词:
膜/基组件云纹显微倍增奇异场
结项摘要

提出利用复合薄膜应力—应变曲线分离超薄膜应力—应变曲线新方法,得到0.45μmTiO2超薄膜应力—应变曲线及力学特性。提出显微倍增云纹干涉法,对Ni膜,ZnO2基双层,三层组件细观位移场进行了测量;对带边裂纹组件进行裂尖场位移厅异性分析,得到裂尖位移为指数厅异性的概念,对韧性膜、胞性基组件厅异性指数有Sf<ST<Ss的关系。提出全息类投影云纹法,研究了微电子元器件的分层;屈曲;过屈曲裂纹扩展;薄膜在基上卷曲失效;脆性薄膜在基上龟裂以及各种失效模式的临界参量,进行了有关理论分析,上述实验方法尚属国内外首创。用云纹干涉法研究了组件内热残余应力。这些成果对提高产品质量与设计有指导意义。随微电子工业发展,该研究尤显学科重要性。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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