宽带半导体ZnO单晶新生长方法研究

ZnO单晶不仅是GaN晶体生长最理想的衬底材料，而且本身也是重要的发光材料，其发光波长比GaN的蓝光波长还要短。但是，由于生长技术的局限，ZnO体单晶生长研究一直没有引起足够的重视。开展ZnO单晶生长新方法研究，将为光电子与发光产业探索一条制备高质量ZnO单晶的新途径。针对ZnO单晶高温下挥发性强的特点，研究ZnO在V2O5、B2O3、MoO3等助熔剂体系中的析晶行为，寻找在900-1100 C范围内适合ZnO生长的助熔剂体系及其比例。采用坩埚下降法生长ZnO单晶，研究晶体缺陷、生长机理及相关基础问题，通过优化生长工艺，探索宽带半导体ZnO单晶生长新方法。