动力学方法对气相沉积成膜的原子分子过程研究

本项目研究了热CVD淀积a-Si：H、PECVDA和反应溅射生长SiC与TiN薄膜。研究了反应室的改进及工艺参数的调整对薄膜生长速率与质量的影响。利用探针及其实验数据进行对照，分析了气相淀积的原子、分子、离子及电子的浓度、温度和输运。为薄膜的生长、设计寻找动力依据，建立各种动力学模型，进行论文写作和薄膜的实用化研究。重要研究成果有三点：（1）淀积出了SiC、TiN优质薄膜，其中SiC用于半导体热电饮料机使致冷系数提高30%，成为一项专利的重要权利要求之一；（2）在靶动力学、靶中毒及反应溅射生长三个理论模型方面具有独创性，已在杂志上发表论文五篇，另有三篇待发表；（3）研制成功计算机等离子体探针自动测试装置。