具有金属导电特性的Sb简并掺杂SnO2纳米线

在多年宽带隙氧化物半导体纳米线制备、表征和应用研究的基础上，本申请项目拟在气相输运技术制备SnO2纳米线的过程中实现原位Sb施主简并掺杂，制备具有金属导电行为的透明单晶纳米线。研究Sb简并掺杂对纳米线晶体结构、光学性质的影响。结合微细加工技术制作单根纳米线器件，研究不同温度条件下单根简并掺杂SnO2纳米线的电学输运性质。研究外界气氛、紫外光和磁场等条件对Sb简并掺杂SnO2纳米线电学特性的影响。获得金属性纳米线的诸如室温电阻率、电阻率-温度关系、最大承载电流密度等关键物理参数。结合大电流焦耳热熔断技术，研究单根Sb简并掺杂SnO2纳米线的侧向电子场发射特性。该申请中涉及的原位掺杂技术，能有效解决纳米尺度半导体掺杂这一难题。单晶透明金属性纳米线可以作为纳米尺度的点电子源、纳电子器件的互连线、扫描隧道显微镜用的多功能透明导电探针。