全麻药中枢递质释放调控机制的研究

半导体材料中杂质的含量和分布直接影响材料性能和器件的质量。利用新技术--同步辐射X射线微区分析及全反射X射线分析相结合测定半导体材料表面杂质的分布是本课题的目的。本工作利用北京正负电子对撞机同步光源对硅片表面进行毫米及微米级微区扫描，获得了二维微区分布图象。同时利用自行研制的合反射谱仪测定了硅征及砷化镓表面几十倍埃至几千埃范围内质杂砷、铁、铜的深度部面分布，并采用了一种非常规的测量和处理数据方法，介决了表面杂质无标样定量测定问题。综合以上测定结果，给出了硅片表面掺杂元素砷的三维分布，实现了半导体材料中杂质的不破坏分析。此分析方法的建立对于半导体材料及超大规模集成电路的研制都是很有价值的。