本项目研究了九种易形成碳化物的过渡族金属和碳化钨、单晶硅、镍铱合金、立方氮化硼等材料与金刚石薄膜的界面的性质、结构,以及金刚石薄膜在这些材料上的成核、沉积和高纯立方氮化硼薄膜制备方法。获得了上述材料与金刚石薄膜界面的形成、结构、应力等特征,以及金刚石在这些材料表面上的成核与生长方面的实验规律。总结出旨在提高金刚石与碳化钨结合力和成核密度的表面预处理方法以及与此相关的实验技术,建立了实现单晶硅表面上获得高金刚石成核密度的在位式表面处理方法和具有广泛适用性的高压条件下材料电阻电容的测试方法。发现了氧化铜在高压条件下的电阻变化规律。获得了高结构纯度的立方氮化硼薄膜。在实验上验证了程氏电子密度理论。
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数据更新时间:2023-05-31
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