半导体薄层材料中浅杂质电子态结构和光热电离谱

半导体薄层（微米左右）中浅杂质的定量检测和能谱研究曾经是很困难的问题。本课题首先将我们自己发展的光热电离光谱子法推广应用于几种半导体薄层，包括Si1-xGex应变合金薄层。在低温强磁场下逐次研究了GaAs分子束外延薄层、InP气相流分子束外延薄层、SiGe合金分子束外延薄层及其体材料中残余浅杂质的光热电音光谱。发现了这些薄层中的与浅杂质相关联的共振极化子效应、仅在强磁场下才存在的若干高量子数杂质亚稳态以及GeSi合金中浅施主与浅受主的不同行为等。共发表论文约30篇，其中在国外杂志发表约10篇。国际会议大会邀请报告一篇，国内会议邀请报告2篇。本课题每年均被上海技术物理研究所学术委员会评为A类课题。