新一类无机－有机杂化半导体纳米材料的合成、形成机理及性能研究

本研究旨在探索II-VI族/二胺复配的新一类无机－有机杂化半导体纳米材料的合成及性能研究，并探索金属离子掺杂后稀磁半导体磁光性能的调控。通过研究化学液相合成体系中的一些关键因素的调控，将混合溶剂新概念运用到II-VI族半导体与二胺及多胺复配后合成的杂化材料的合成领域，探索其反应机制和合成机理。 对无机－有机杂化半导体纳米材料进行结构控制和性能调制，实现对杂化材料性能的有效剪裁，为合成和制备其它具有光学性能可调的无机－有机杂化半导体纳米材料提供一条普适的合成路线。 通过对无机有机杂化半导体纳米材料的表面修饰工程和结构设计及不同程度的掺杂，控制其线性和非线性光学行为，提高光、电、磁性能和光催化效率，探索其发光机制与光催化机理，为新颖无机－有机杂化半导体纳米材料的器件化提供理论指导和实验基础，为无机－有机杂化半导体纳米材料将来在光电子器件、光催化降解、生物医药工程等领域的应用拓展有效途径。