少子寿命横向分布对超快恢复功率二极管特性的影响

采用定域掺入Au\Pt\Pd工艺实现了二极管中少子寿命横向分布（MLD）。实验结果表明：由室温升至100℃掺Pd硅MLD二极管的反恢时间变化率不到20%，而目前广为应用的掺Pt二极管变化率高达150%至230%。MLD二极管的恢复软度也较均匀掺杂二极管有明显提高。MLD结构对于高温高速开关器件和高软度器件的研制方面具有重要应用前景。首次对掺Pd硅二极管进行了较全面的研究，与有关理论预测不同，掺Pd硅二极管具有良好的VF-tn兼容性，Pd宜用于快速器件。本研究表明：二极管中少子寿命控制杂质或缺陷的纵、横向分布对器件参数有很显著的影响，目前仅考虑杂质缺陷引入的深能级特性的快速二极管理论必需改进，在器件物理发展方面有重要科学意义。