少子寿命横向分布对超快恢复功率二极管特性的影响

基本信息
批准号:69676034
项目类别:面上项目
资助金额:10.20
负责人:游志朴
学科分类:
依托单位:四川大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:潘飞蹊,崔波,王廷鉴,唐方元
关键词:
少子寿命分布功率二极管高反应
结项摘要

采用定域掺入Au\Pt\Pd工艺实现了二极管中少子寿命横向分布(MLD)。实验结果表明:由室温升至100℃掺Pd硅MLD二极管的反恢时间变化率不到20%,而目前广为应用的掺Pt二极管变化率高达150%至230%。MLD二极管的恢复软度也较均匀掺杂二极管有明显提高。MLD结构对于高温高速开关器件和高软度器件的研制方面具有重要应用前景。首次对掺Pd硅二极管进行了较全面的研究,与有关理论预测不同,掺Pd硅二极管具有良好的VF-tn兼容性,Pd宜用于快速器件。本研究表明:二极管中少子寿命控制杂质或缺陷的纵、横向分布对器件参数有很显著的影响,目前仅考虑杂质缺陷引入的深能级特性的快速二极管理论必需改进,在器件物理发展方面有重要科学意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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