反应共溅射GeO/SiO2强紫光发射薄膜研究

对于硅基光电子集成来说，光源问题是之关键。含Ge的SiO2薄膜是一种良好的紫光发射材料，它的发光波长短，单色性好。本项目的研究目的是提高该类材料的发光强度。在研究工作中，我们采用了改进退火工艺和设计结构两种方法。改进退火工艺：对Ge—SiO2共溅射薄膜进行氧氛退火，防止薄膜中的GeO的分解，并促使Ge进一步氧化，增加GeO发光中心的密度，使发光强度增强了5倍。结构设计：退火时，SiO2中的Ge容易逸出损失，为此设计了SiO2/Ge：SiO2/SiO2三明治结构。退火时，SiO2层阻止Ge从薄膜中逸出，同时SiO2中氧扩散为GeO姚中心的形成提供氧来源。实验结果表明，该三明治结构稳定性好，相对于Ge:Sio2单层膜，发光强度也得到了很大提高。