具有巨磁电阻效应的纳米多层膜界面原子结构与电子结构
基本信息
批准号：50371003
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：尚家香
学科分类：
依托单位：北京航空航天大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王福合,何亮,石兴,李伟信
关键词：
巨磁阻效应第原子结构与电子结构计算界面结构分子动力学
结项摘要
巨磁阻效应具有很大的应用前景，可能在新一代高灵敏度磁性传感器、超高密度磁记录读出磁头及磁性随机存储器，这些器件在计算机行业、自动化控制及国防工业起着举足轻重的作用。出现巨磁阻效应（GMR）的多层膜的厚度只有几个或几十纳米的厚度，因此界面原子结构和电子结构对材料的宏观性能起着重要的作用，甚至是决定性的作用。利用分子动力学与第一原理方法相结合研究磁性纳米多层膜Co /Cu/Co 和Fe/Cu/Fe等界面的原子结构和电子结构以及纳米多层膜结构温度稳定性，研究纳米多层膜的微观结构与电磁性能特别是巨磁电阻(GMR)效应的关系，结合理论分析建立磁性纳米多层膜材料微观结构模型
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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