立方结构MgZnO 的带隙可以在紫外波段灵活的调节,而且没有六方结构中的压电场和极性控制问题,因此被视为AlGaN以外另一种很有前途的日盲紫外探测器材料。我们在前期实现了MSM型MgZnO日盲紫外探测器基础上,将围绕提高探测度这个目标,一方面以降低暗电流为核心,继续研究对立方MgZnO单相结构生长控制并有效降低缺陷密度,继续把器件的探测峰值从260nm向280nm的目标推进;另一方面将更关注和确认几个关系到该体系的核心竞争力的基础问题,包括立方MgZnO中强激子效应对电荷分离效率的影响、立方MgZnO中电子-声子耦合强度和饱和漂移速度、少子的寿命和扩散长度等。这些基础问题的深入研究,不但对提高器件的效率、探测度和响应速度等有重大意义,还将进一步澄清立方MgZnO相对于六方AlGaN的优劣势和竞争力。
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数据更新时间:2023-05-31
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