InP基异质结双极型晶体管激光器的研究

晶体管激光器同时具有晶体管的电信号放大功能和激光器的光发射功能，是一种有广泛应用前景的新型半导体光电子器件。.本项目利用MOCVD技术研究InP基NPN双极型晶体管激光器的材料生长和器件制作.主要研究InP基双极型晶体管激光器的光电耦合模式和不同于晶体管的新的工作原理；研究双极型晶体管激光器的材料生长工艺，尤其是在薄基区中生长量子阱材料、对基区重惨杂并且要控制Zn向量子阱区和发射区扩散的技术；研制长波长1.3微米和1.5微米的双极型晶体管激光器制作技术；研究不同量子阱有源区参数对晶体管激光器光电性能的影响；研究双极型晶体管激光器的新颖光电特性及其新的应用。