InP基异质结双极型晶体管激光器的研究
基本信息
批准号：60706009
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：24.00
负责人：梁松
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2007
结题年份：2010
起止时间：2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈娓兮,边静,冯文,周静涛,程远兵,王桓,陈定波
关键词：
InP基半导体器件双极晶体管激光器MOCVD
结项摘要
晶体管激光器同时具有晶体管的电信号放大功能和激光器的光发射功能，是一种有广泛应用前景的新型半导体光电子器件。.本项目利用MOCVD技术研究InP基NPN双极型晶体管激光器的材料生长和器件制作.主要研究InP基双极型晶体管激光器的光电耦合模式和不同于晶体管的新的工作原理；研究双极型晶体管激光器的材料生长工艺，尤其是在薄基区中生长量子阱材料、对基区重惨杂并且要控制Zn向量子阱区和发射区扩散的技术；研制长波长1.3微米和1.5微米的双极型晶体管激光器制作技术；研究不同量子阱有源区参数对晶体管激光器光电性能的影响；研究双极型晶体管激光器的新颖光电特性及其新的应用。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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