量子线结构及其光泵浦特性研究
基本信息
结项摘要
用分子束外延在非平面GaAs衬底上制备的掩埋脊形GaAs/AlGaAs多量子阱线列阵和用金属有机化学气相淀积在GaAsV型沟底制备的掩埋GaAs/AlGaAs量子线材料。低温光荧光测量显示了量子线效应的光跃迁能级位置的蓝移，10K和室温偏振光激光的光反射调制谱证明了量子线所独有的光学各向异性。理论计算也表明台的顶尖处和V型的沟底处形成的横向载流子限制效应的有效作用尺寸都在量子尺寸范围之内。采用MOCVD在非平面GaAs衬底上V型沟底所研制成功的新月型GaAs/AlGaAs多量子线激光器列阵。这种多量子线激光器列阵具有二维分别限制的异质结构，并在室温脉冲下产生激射，光脉冲线形输出功率可达115mN以上，这是目前国际上各类量子线激光器的最好水平。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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