低载能高电荷态离子在固体表面诱发的可见和红外光谱研究

基本信息
批准号:10774149
项目类别:面上项目
资助金额:39.00
负责人:杨治虎
学科分类:
依托单位:中国科学院近代物理研究所
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王友德,张艳萍,朱可欣,张泊丽,宋张勇
关键词:
高电荷态离子金属表面可见和红外光半导体材料
结项摘要

利用(ECRIS)和超导ECR离子源(SECRAL)提供的低速高电荷态离子,改变高电荷态离子Arq+、Niq +、Krq+、Xeq+的电荷态q 、入射角度、入射能量,测量入射在Au 、Mo 、Cu、Ni、 Al 、Be等以及半导体(如,GaAs、GaN、GaP、 InP、InSb、 ZnO 等) 表面诱发的可见光和红外光,研究金属表面原子、半导体表面原子受激辐射光谱特性随入射离子电荷态、入射角度、入射能量的变化关系。探索高电荷态离子与固体表面相互作用过程中靶原子受激辐射可见和红外光的规律以及表面结构和发光特性,结合已有的实验数据和本项目的实验数据,建立这种强库仑场条件下的超快非线性物理过程中能量转移、靶原子受激辐射理论。同时为高电荷态离子激发固体红外光谱的应用提供基础数据,并为特殊功能材料性质研究及其制作研究提供物理依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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