用TGA,OM,SEM和HREM等方法研究了Cu含量分别为0.8,3.3,6.3,和9.5wt%的AgCu合金在在750℃以及850℃的内氧化,发现CuO颗粒能在Cu含量小于6.3%的合金表面较均匀形核析出,而Ag9.5%Cu合金表面有CuO颗粒簇集中析出的现象,内氧化的形核与长大情况随Cu含量或氧化温度的变化而明显不同,氧化温度及Cu含量低时,CuO的析出与长大规律符合Bohm-Kahlweit经典模型的预测;反之,CuO的析出与长大出现了反常现象,通过对内氧化AgCu合金的原子结构进行观察,提出了内氧化层形成的堆垛层错四面体(SFT)促进了CuO的形核的观点,同时研究了Cu-Al三种成分的合金在1×10(-10)atm O2中900℃,950℃和1000℃下的内氧化行为与内氧化区微观结构。
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数据更新时间:2023-05-31
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